Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...
Комплект из 10-и SS8050 Биполярных транзисторов для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 25 В, максимальный ток коллектора Ic max 1,5 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 200. Комплиментарная пара: SS8...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов D2499 биполярный транзистор (2 шт.) TO-3PF аналог BU4508DZ схема BU508DXI характеристики цоколевка datasheet BUH515DX1 ехнические характеристики транзистора D2499 (2SD2499) говорят о том что он является мощным, высоковольтным, быст...
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Макси...
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...
Комплект из 10-и MMBT3904 Биполярных транзистора для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 40 В, максимальный ток коллектора Ic max 0,2 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 100. Комплиментарная пара: MM...
Ac-32860, TIP102, NPN составной Дарлингтон транзистор с шунтирующими резисторами, 80Вт, TO-220, ABC, Транзистры биполярные, ABC
количество в упаковке: 1 шт
Биполярный транзистор BU406 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: BU406 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимальн...
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13007-2 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MJE13007F схема KSE13007 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора E-13007 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Напряжение коллектор-...
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 420...
Описание товара 600V N-Channel MOSFET характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 2 Прочие Бренд Fairchild Вес г. 2.8 Тип Корпуса TO-3PF-3
тип: транзистор
В комплекте 2 штуки новых транзисторов D882 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог 2SD882 схема BD187 характеристики цоколевка datasheet BDX35 Характеристики транзистора 2SD882 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более:...
Транзистор 40N60FD2 IGBT IGBT - это биполярный транзистор с изолированным затвором. Максимальное напряжение - 600V Максимальный ток - 40A Тип корпуса - TO-3P
тип: транзистор